Aixtron und Ohio State University revolutionieren Halbleiterforschung mit Galliumoxid-Technologie
Anika Thies
Aixtron und Ohio State University revolutionieren Halbleiterforschung mit Galliumoxid-Technologie
Aixtron stärkt Position in der Spitzenforschung für Halbleiter durch Partnerschaft mit der Ohio State University
Der Halbleiterausrüster Aixtron hat seine führende Rolle in der zukunftsweisenden Halbleiterforschung ausgebaut – durch eine Kooperation mit der Ohio State University (OSU). Das Unternehmen stellt der Hochschule sein hochmodernes MOCVD-System für die Erforschung von Galliumoxid im Nanotech West Lab der OSU zur Verfügung. Damit unterstreicht Aixtron seinen Vorstoß in die nächste Generation von Halbleitermaterialien, während Mitbewerber weiterhin auf ältere Technologien setzen.
Die Zusammenarbeit fällt in eine Phase, in der weltweit die Forschung an Galliumoxid an Fahrt aufnimmt. Institutionen wie das deutsche Leibniz-Institut und Chinas Yongjiang-Labor haben auf diesem Gebiet bereits Fortschritte erzielt.
Für ihre Galliumoxid-Projekte hat sich das Institute for Materials and Manufacturing Research der OSU für Aixtrons Close Coupled Showerhead® (CCS)-System entschieden. Die Anlage ermöglicht das präzise epitaktische Wachstum von Galliumoxid und Aluminium-Galliumoxid auf 100-Millimeter-Substraten. Ihre Fähigkeit, gleichmäßige, hochwertige Dünnschichten herzustellen, macht sie zu einem zentralen Werkzeug für die Weiterentwicklung der Leistungselektronik.
Die Partnerschaft knüpft an frühere Projekte von Aixtron an, etwa die Zusammenarbeit mit dem Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) in Berlin. Dort wurde im April 2025 im Rahmen des G.O.A.L.-Projekts industrietaugliche Epitaxie-Ausstattung von Aixtron eingeführt. Unterdessen haben Chinas Yongjiang-Labor und die Universität der Chinesischen Akademie der Wissenschaften bereits Galliumoxid-Leistungsdioden und Fotodetektoren entwickelt. In den USA erforschen die University of North Texas und die Universität von Michigan ebenfalls Ultra-Breitbandgap-Halbleiter für Anwendungen unter extremen Bedingungen.
Mit seinem Fokus auf Galliumoxid sichert sich Aixtron einen frühzeitigen Wettbewerbsvorteil in einem wachsenden Markt. Durch die Bereitstellung von Forschungsgeräten für diese Materialien festigt das Unternehmen seinen Ruf als führender Anbieter von MOCVD-Technologie. Investoren haben dies erkannt: Die Aixtron-Aktie notiert derzeit bei 18,79 Euro – deutlich über dem 200-Tage-Durchschnitt.
Die Kooperation mit der OSU katapultiert Aixtron an die Spitze der Galliumoxid-Entwicklung, einem Material, das die Zukunft der Leistungselektronik prägen dürfte. Angesichts der beschleunigten Forschungsaktivitäten weltweit ist die Technologie des Unternehmens nun in Schlüsselprojekte in Deutschland, China und den USA eingebunden. Damit ist Aixtron bestens positioniert, um von der steigenden Nachfrage nach Ultra-Breitbandgap-Halbleitern zu profitieren.
